Las empresas japonesas desarrollan tecnología para fabricar semiconductores de 1.4 nanómetros con una décima parte de la energía.

La empresa japonesa DNP ha desarrollado una tecnología capaz de producir semiconductores avanzados con solo una décima parte del consumo de energía. Se trata de un nuevo método de fabricación de dispositivos orientado a la producción para Canon, cuya producción en masa está prevista para 2027, con el fin de proporcionar los componentes clave para productos de la próxima generación de 1,4 nanómetros (1 nanómetro es la milmillonésima parte de un metro). Existe la posibilidad de reducir de forma significativa el costo de fabricación de semiconductores basados en inteligencia artificial (IA).

Actualmente, para producir en masa los semiconductores más avanzados, es necesario utilizar las máquinas de litografía ultravioleta extrema (EUV) fabricadas únicamente por ASML Holdings, con sede en los Países Bajos. El proceso de “litografía” que dibuja los circuitos en la oblea (sustrato) representa del 30% al 50% del costo total de fabricación de los semiconductores. Cuanto más fino es el circuito, más veces se recurre a la litografía, y también aumenta el consumo de energía. El precio de una sola máquina de litografía EUV es de alrededor de 30 mil millones de yenes, lo que supone una pesada carga de inversión para los fabricantes de semiconductores.

Por su parte, el equipo de fabricación de Canon de “nanoimpresión (Nanoimprint)” crea circuitos sobre la oblea mediante un método similar al de sellar con un sello. DNP desarrolló una “plantilla (template)” del circuito, equivalente a un sello de alta precisión, que como máximo puede utilizarse para procesos de 1,4 nanómetros. Anteriormente, esta tecnología no podía respaldar la fabricación de semiconductores avanzados como los de 2 nanómetros.

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