SiC概念股漢磊衝上57.7元背後：技術突破能否撐起股價狂歡？

最近半导体板块最火的话题，非汉磊莫属。这档股票的表现堪称惊人——8日盘中再度拉出涨停，股价冲上57.7元，创下去年11月以来新高。更夸张的是，短短四个交易日就有三日涨停，单月涨幅超过25%，完全成了市场追捧的对象。

技术突破点燃SiC概念股的涨停引擎

汉磊股价炸裂背后有具体的催化剂。公司宣布碳化硅（SiC）第四代MOSFET制程平台（G4）实现技术突破，总经理刘灿文表示，新技术在晶片尺寸上缩小20%，导通电阻也降低20%，已达「国际大厂水准」。

更吸引市场注意力的是，有消息指英伟达在新一代GPU中可能采用SiC材料。一旦汉磊成为供应链成员，这对其未来业绩的想象空间无限大。外资与自营商闻风而动，联手买进推升SiC概念股，股价轻松站上所有均线，成为资金角逐的战场。

涨停背后的投机真相：当冲成交比破七成

不过，技术光环并未阻止投机者的入场。5日的走势堪称戏剧化——早盘股价一度冲高至56.5元、大涨4.24%，却遭遇强劲卖压急速翻黑，终场反而下跌3.14%，收在52.5元。

更值得关注的是当日的成交结构：现股当冲成交量高达50,285张，当冲比率竟突破71%。这意味着绝大多数交易者都在进行短线搏杀，SiC概念股汉磊早已沦为投机筹码，股价涨跌不再反映基本面，而是市场情绪的直接映射。

虧损七季的经营现实：故事与业绩的致命距离

然而，掀开漂亮的技术故事，汉磊的经营状况却不那么乐观。财报数据显示公司已连续七季亏损，今年上半年每股亏损1.02元。虽然7月营收有所起色，但前七个月累计营收仍较去年同期下滑7.9%。

这组数据的含义很明确：当前SiC概念股的涨势更多源自「想象」而非「现实」。技术突破距离实现商业化还还有一段距离，而短期股价的飙升完全建立在未来预期之上。

投资提醒：警惕科技故事下的泡沫风险

对普通投资者来说，汉磊的故事确实吸引人，但面对基本面与股价的巨大落差，还是应该保持理性。技术创新从实验室走向商用化需要时间，短线资金的热情往往昙花一现。

SiC概念股的狂欢，最终往往只留下一地鸡毛。在追逐热点时，别忘了检视风险。