Chung Năng Quang Tích đạt bước đột phá mới trong pin ghép lớp perovskite / silicon晶硅

Gần đây, pin ghép lớp perovskite/điện tử silicon heterojunction do Wuxi Zhongneng Guangchuan tự phát triển đã đạt hiệu suất chuyển đổi quang điện 34,07% qua chứng nhận của TV Bắc Đức. Chứng nhận này dựa trên việc tích hợp sâu tuyến năng lượng không gian do tự nghiên cứu phát triển, tạo nền tảng công nghệ cho thương mại hóa các ứng dụng cao cấp như hàng không vũ trụ. (Nhân dân Tài Chính)

Xem bản gốc
Trang này có thể chứa nội dung của bên thứ ba, được cung cấp chỉ nhằm mục đích thông tin (không phải là tuyên bố/bảo đảm) và không được coi là sự chứng thực cho quan điểm của Gate hoặc là lời khuyên về tài chính hoặc chuyên môn. Xem Tuyên bố từ chối trách nhiệm để biết chi tiết.
  • Phần thưởng
  • Bình luận
  • Đăng lại
  • Retweed
Bình luận
0/400
Không có bình luận
  • Ghim