A escassez de fornecimento de memória impulsiona a tendência de alta, a Huabang Electric (2344) confirma o sinal de alta técnica e inicia oficialmente o movimento de alta

伴随全球记忆体短缺趋势加剧，华邦电今日股价攻上涨停板，终场收报67.9元，单日涨幅达9.87%，成交量与成交值双双领先台股。更值得关注的是，这已是华邦电连续第三个交易日上扬的表现，累计涨幅已达20.37%，带动旺宏、力积电等整个记忆体族群全线走强。

产能缺口扩大，传统记忆体进入供给侧改革期

产业形势的变化正在急速演进。国际记忆体大厂正在调整策略，将生产重心转向高毛利的高频宽记忆体（HBM），导致传统DRAM与Flash的供应遭到挤压，市场因此呈现严重的供不应求状况。

根据最新统计，全球DRAM主要供应商的库存周数已从去年底的13至17周，极速下滑至今年10月的仅2至4周，这意味着整个产业已经进入超低库存的紧张状态。与此同时，DDR4记忆体的供给格局自第三季起出现了根本性转变——国际领先厂商纷纷优先配置产能给DDR5与HBM，加上中国大陆同业的同步调整，使得DDR4的市场供给急剧收缩。

然而需求端的情况却完全相反。企业级固态硬盘、工业电脑及各类储存装置仍需搭配DDR4规格，实际市场需求远超预期，形成典型的「商三特」——商业周期中供给侧短缺、需求侧维持强劲、结构性失衡三方特征并存的现象。

华邦电成为直接受惠者，营收创三年新高印证产业景气反转

华邦电2025年11月合并营收达86.29亿元，相较上月成长近5%，年增幅更达38.7%，创下超过三年的历史新高。今年前11个月累计营收达796.35亿元，年增率5.85%。

这组数据背后的逻辑十分清晰：由于率先扩增资本支出并获得客户积极追单，华邦电成为记忆体供给短缺趋势的直接受惠者。产业库存周转情况也证实了这一点——华邦电与旺宏等原厂的库存周转天数已从常态的185天明显下降至140天左右，反映出营收与获利能力的实质改善。

记忆体报价涨幅惊人，2026年仍有成长空间

从合约价来看，DDR4记忆体从年初每颗仅1元多的低点，到第四季已呈现5至6倍的惊人涨幅。现货市场上，DDR4的16Gb规格价格甚至飙升至每颗约100美元，远高于业界参考报价的45.5美元，市场更一度出现DDR4现货价超越DDR5的罕见「价格倒挂」现象。

外资机构的研究报告认为，这波报价上涨动能可望延续至2026年，报告特别强调不应急于获利了结。NOR Flash的供应缺口预期将在2026年持续扩大，第一季价格涨幅可能超过20%。展望全年，预估DRAM合约价将持续攀升但增速趋缓，其中DDR5与DDR4的价格预计分别为每颗17元与12元。

双轴产能扩充计划启动，华邦电有望迎来获利成长高峰

为抓住此波市场机遇，华邦电正推动产能扩充策略。台中厂区将持续提升NOR Flash、NAND Flash以及成熟制程DRAM的产出，高雄新厂的DRAM月产能则规划从现阶段的1.5万片晶圆提升至2.4万至2.5万片，预计2026年第一季量产16纳米先进制程产品。CUBE晶圆级堆叠技术平台更预期自2027年起对营收产生实质贡献。

市场机构预估，2026年全球DDR4记忆体的供需缺口将扩大至10%以上，下游客户转用DDR5的速度、以及DDR4与DDR5的价差变化将成为关键变量。在人工智慧、工控、车用及网络通讯等应用需求同步增长的驱动下，华邦电有望在2026年迈入获利成长最显著的阶段。

法人同步加码，资金面与基本面形成双重支撑

资金面的表现同样令人瞩目。上周统计显示，外资、投信与自营商三大法人合计买超华邦电超过5万张，其中外资单周买超即超过4.2万张，积极布局态度十分明确。在产业基本面向好、产品报价看涨、筹码趋于集中等多重利好支持下，整个记忆体族群的后续营运成长预期备受市场看好。

台湾记忆体业者当前主要受惠于DDR4与DDR5标准型记忆体涨价所带动的「外溢效应」。由于在HBM及3D堆叠封测技术上还未完备，台湾厂商更能从传统记忆体涨价中获得相对集中的利益。整体而言，台湾记忆体类股仍属典型的景气循环标的，股价后续表现将紧密跟随记忆体市场报价走势与终端需求变化而定。

从技术面观察，华邦电股价已触及布林带上轨并稳站所有短期均线之上，形成明确多头排列，目前正蓄势挑战2025年以来的前高69.1元。在供给短缺与需求旺盛的基本面支撑下，这波上升行情的持续性值得持续追踪。