Samsung Electronics đẩy nhanh nghiên cứu và phát triển thế hệ bộ nhớ băng thông cao tiếp theo, các mẫu HBM4E đầu tiên sẽ được sản xuất vào tháng 5
Samsung Electronics đang nỗ lực thúc đẩy quá trình nghiên cứu và phát triển sản phẩm bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo (HBM), nhằm củng cố vị thế của mình trên thị trường bộ nhớ trí tuệ nhân tạo cao cấp. Theo báo cáo, Samsung Electronics dự kiến sẽ sản xuất các mẫu HBM4E phù hợp với tiêu chuẩn của Nvidia sớm nhất vào tháng 5 năm 2026. Các chuyên gia trong ngành tiết lộ rằng, Samsung có kế hoạch rõ ràng và chặt chẽ về thời gian. Mục tiêu của họ là trong nửa cuối tháng tới, bộ phận gia công sẽ thành công sản xuất các mẫu chip logic cốt lõi của HBM4E.
Samsung Electronics đang nỗ lực thúc đẩy quá trình nghiên cứu và phát triển sản phẩm bộ nhớ băng thông cao thế hệ tiếp theo (HBM), nhằm củng cố vị thế của mình trên thị trường bộ nhớ trí tuệ nhân tạo cao cấp. Theo báo cáo, Samsung Electronics dự kiến sẽ sản xuất các mẫu HBM4E phù hợp với tiêu chuẩn của Nvidia sớm nhất vào tháng 5 năm 2026. Các chuyên gia trong ngành tiết lộ rằng, Samsung có kế hoạch rõ ràng và chặt chẽ về thời gian. Mục tiêu của họ là trong nửa cuối tháng tới, bộ phận gia công sẽ thành công sản xuất các mẫu chip logic cốt lõi của HBM4E.


